Транзистор N-MOSFET ONSEMI FDS89161, 100В, 2,7А, SO8 (набір 20 шт.)
1 930 ₴
- В наявності
- Код: TM073699
Транзистор N-MOSFET ONSEMI FDS89161, 100В, 2,7А, SO8 (набір 20 шт.)В наявності
1 930 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор N-MOSFET ONSEMI FDS89161 — це подвійний польовий транзистор з каналом, що збагачується, у корпусі SO8. Комплект складається з 20 одиниць, призначених для поверхневого монтажу (SMD).
- Подвійний N-MOSFET транзистор
- Напруга дрена-джерела: 100 В
- Струм дрена: 2,7 А
- Потужність розсіювання: 31 Вт
- Корпус SO8, монтаж SMD
- Комплект: 20 шт.
Електричні параметри
Транзистор розрахований на напругу дрена-джерела 100 В та струм дрена 2,7 А. Максимальна розсіювана потужність становить 31 Вт. Опір у стані провідності дорівнює 176 мОм.
Технологія та монтаж
Виріб виготовлено за технологією PowerTrench®. Корпус SO8 та тип монтажу SMD. Напруга затвор-джерело обмежена ±20 В, а заряд затвора становить 4,1 нКл. Транзистор є уніполярним.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | ON Semiconductor |
| Максимальна потужність розсіювання | 31 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 20 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 100 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 2.7 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 176 mOm |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 20 шт. |
| Корпус | SO8 |
| Технологія | PowerTrench® |
Інформація для замовлення
- Ціна: 1 930 ₴