Транзистор N-MOSFET ONSEMI FDS89141, 100V, 3.5A, SO8 (набір 10 шт.)

Транзистор N-MOSFET ONSEMI FDS89141 — це подвійний польовий транзистор з каналом типу N, призначений для комутаційних задач у електронних схемах. Модель виконана у корпусі SO8 для поверхневого монтажу (SMD) та реалізує технологію PowerTrench®. У комплекті постачається 10 одиниць.

• Подвійний N-MOSFET транзистор
• Напруга дрена-джерела: 100 В
• Струм дрена: 3,5 А
• Розсіювана потужність: 31 Вт
• Корпус SO8 для SMD монтажу
• Комплект: 10 шт.

Електричні параметри

Транзистор розрахований на напругу дрена-джерела 100 В та максимальний струм дрена 3,5 А. Опір у стані провідності становить 0,107 Ом, що мінімізує втрати енергії при роботі. Максимальна розсіювана потужність дорівнює 31 Вт, а заряд затвора — 7,1 нКл.

Тип транзистора та комплектація

Це подвійний N-MOSFET з каналом типу N (взбагачуваний), що дозволяє керувати двома навантаженнями одним компонентом. У комплекті постачається 10 транзисторів, що зручно для серійного виробництва або ремонту. Монтаж виконується методом SMD (поверхневий монтаж).