Транзистор N-MOSFET ONSEMI FDS8880, 30V, 11.6A, SO8 (набір 30 шт.)
2 030 ₴
- В наявності
- Код: TM073697
Транзистор N-MOSFET ONSEMI FDS8880, 30V, 11.6A, SO8 (набір 30 шт.)В наявності
2 030 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор N-MOSFET ONSEMI FDS8880 — це уніполярний польовий транзистор з каналом збагачення. Товар поставляється комплектом із 30 одиниць у корпусі SO8 для монтажу на поверхню (SMD).
- Тип транзистора: N-MOSFET, уніполярний, канал збагачення
- Максимальна напруга стік-витік: 30 В
- Струм стоку: 11,6 А
- Розсіювана потужність: 2,5 Вт
- Корпус: SO8, монтаж SMD
- Комплектація: 30 шт.
Електричні параметри та корпус
Транзистор розрахований на максимальну напругу стік-витік 30 В та струм стоку 11,6 А. Опір у відкритому стані становить 16,3 мОм. Максимальна розсіювана потужність дорівнює 2,5 Вт, а заряд затвора — 30 нКл.
Компонент виконаний у стандартному корпусі SO8. Технологія PowerTrench® та тип монтажу SMD. Максимальна напруга затвор-витік становить ±20 В.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | ON Semiconductor |
| Максимальна потужність розсіювання | 2.5 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 20 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 30 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 11.6 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 16.3 mOm |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 30 шт. |
| Корпус | SO8 |
| Технологія | PowerTrench® |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 030 ₴