Транзистор N-MOSFET ONSEMI FDS6898A, 20V, 9.4A, SO8 (набір 20 шт.)

Транзистор N-MOSFET ONSEMI FDS6898A — це подвійний польовий транзистор у корпусі SO8 для поверхневого монтажу (SMD). Комплект складається з 20 одиниць.

• Тип: подвійний N-MOSFET (N-MOSFET x2)
• Напруга стік-витік: 20 В
• Струм стіка: 9,4 А
• Опір у відкритому стані: 21 мОм
• Потужність розсіювання: 2 Вт
• Корпус: SO8, монтаж SMD
• Кількість у комплекті: 20 шт.

Електричні параметри

Транзистор працює з напругою стік-витік до 20 В та витримує струм стіка 9,4 А. Опір у відкритому стані становить 21 мОм. Загальна потужність розсіювання дорівнює 2 Вт.

Технологія та монтаж

Виріб виготовлений за технологією PowerTrench®. Корпус SO8 призначений для поверхневого монтажу (SMD).

Комплектація

У наборі постачається 20 транзисторів ONSEMI FDS6898A. Транзистор є уніполярним (unipolarny) з каналом збагачення (wzbogacany). Максимальна напруга затвор-витік становить ±12 В. Заряд затвора дорівнює 23 нКл.