Транзистор N-MOSFET ONSEMI FDS6680A, 30 В, 12,5 А, SO8 (набір 20 шт.)
1 920 ₴
- В наявності
- Код: TM073694
Транзистор N-MOSFET ONSEMI FDS6680A, 30 В, 12,5 А, SO8 (набір 20 шт.)В наявності
1 920 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор N-MOSFET ONSEMI FDS6680A — це уніполярний напівпровідниковий прилад у корпусі SO8 для монтажу на поверхню (SMD). Комплект складається з 20 одиниць.
- Тип: N-MOSFET, уніполярний
- Напруга стік-витік: 30 В
- Струм стоку: 12,5 А
- Корпус: SO8, монтаж SMD
- Опір у відкритому стані: 15 мОм
- Комплектація: 20 шт.
Електричні параметри
Транзистор розрахований на максимальну напругу стік-витік 30 В та струм стоку 12,5 А. Опір у відкритому стані становить 15 мОм. Потужність розсіювання обмежена 2,5 Вт, а заряд затвора — 23 нКл.
Технологія та монтаж
Прилад виготовлено за технологією PowerTrench®. Корпус SO8 та тип монтажу SMD. Полярність транзистора — уніполярна, канал збагачуваний. Напруга затвор-витік становить ±20 В.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | ON Semiconductor |
| Максимальна потужність розсіювання | 2.5 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 20 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 30 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 12.5 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 15 mOm |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 20 шт. |
| Корпус | SO8 |
| Технологія | PowerTrench® |
Інформація для замовлення
- Ціна: 1 920 ₴