Транзистор P-MOSFET ONSEMI FDS6375, 20 шт., SO8, -20В, -8А
2 240 ₴
- В наявності
- Код: TM073693
Транзистор P-MOSFET ONSEMI FDS6375, 20 шт., SO8, -20В, -8АВ наявності
2 240 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Комплект із 20 транзисторів P-MOSFET від виробника ONSEMI, модель FDS6375. Призначені для монтажу на поверхню (SMD) у корпусі SO8. Максимальна напруга між витоком та стоком становить -20 В, а максимальний струм стоку — -8 А.
- Тип: P-MOSFET, уніполярний, збагачуваний канал
- Максимальна напруга стік-виток: -20 В
- Максимальний струм стоку: -8 А
- Потужність розсіювання: 2,5 Вт
- Опір у відкритому стані: 39 мОм
- Корпус: SO8, монтаж SMD
- Кількість у комплекті: 20 шт.
Технічні характеристики
Транзистор є уніполярним P-канальним польовим транзистором із збагачуваним каналом. Максимальна напруга між витоком та стоком становить -20 В, а максимальний струм стоку — -8 А. Потужність розсіювання дорівнює 2,5 Вт. Опір у відкритому стані (Rds(on)) — 39 мОм.
Корпус та монтаж
Компонент виконаний у корпусі SO8 з монтажем SMD. Транзистор виготовлений за технологією PowerTrench®.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | ON Semiconductor |
| Максимальна потужність розсіювання | 2.5 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 8 В |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 39 mOm |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 20 шт. |
| Корпус | SO8 |
| Технологія | PowerTrench® |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 240 ₴