Транзистор ONSEMI FDS4935BZ, P-MOSFET x2, SO8, комплект 20 шт.

Комплект із 20 транзисторів ONSEMI FDS4935BZ у корпусі SO8. Це подвійні P-канальні MOSFET-транзистори з опором відкритого каналу 35 мОм, призначені для монтажу на поверхню (SMD).

• Комплект із 20 транзисторів
• Корпус SO8 для SMD-монтажу
• Подвійний P-канальний MOSFET
• Струм стоку -6,9 А
• Напруга стік-витік -30 В
• Опір відкритого каналу 35 мОм
• Технологія PowerTrench®

Подвійний P-канальний MOSFET

Транзистор FDS4935BZ містить два P-канальних MOSFET в одному корпусі SO8. Така конфігурація дозволяє економити місце на платі та спрощує трасування при розробці схем із кількома каналами керування.

Ефективне керування струмом

Максимальний струм стоку становить -6,9 А, а напруга стік-витік — -30 В. Транзистор працює в режимі збагачення, що забезпечує стабільне відкривання каналу при подачі керуючого сигналу.

Низький опір та тепловий режим

Опір у стані провідності дорівнює 35 мОм, що мінімізує втрати енергії та нагрівання компонента під час роботи. Максимальна розсіювана потужність становить 1,6 Вт, тому транзистор підходить для застосувань із помірним навантаженням.

Низький заряд затвора та швидке перемикання

Компонент виготовлений за технологією PowerTrench®. Заряд затвора становить 40 нКл, що забезпечує швидкий відгук та знижені втрати при перемиканні. Максимальна напруга затвор-витік — ±25 В.