Кошик
+380 (96) 799-76-58
CLICKgo.fun- інтернет магазин
Кошик

Транзистор P-MOSFET ONSEMI FDS4935A, -30В, -7А, SO8 (набір 20 шт.)

3 290 ₴

  • В наявності
  • Код: TM035602
Транзистор P-MOSFET ONSEMI FDS4935A, -30В, -7А, SO8 (набір 20 шт.)
Транзистор P-MOSFET ONSEMI FDS4935A, -30В, -7А, SO8 (набір 20 шт.)В наявності
3 290 ₴
+380 (96) 799-76-58
Менеджер
+380 (96) 799-76-58
Менеджер
У компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.

P-канальний польовий транзистор ONSEMI FDS4935A у корпусі SO8 для монтажу на поверхню. Пристрій розрахований на напругу -30 В та струм -7 А, що робить його придатним для комутаційних задач у електронних схемах. Комплект складається з 20 одиниць.

  • Тип транзистора: P-MOSFET
  • Максимальна напруга стік-витік: -30 В
  • Струм стіка: -7 А
  • Потужність розсіювання: 1,6 Вт
  • Корпус: SO8, монтаж SMD
  • Опір у відкритому стані: 35 мОм
  • Кількість у наборі: 20 шт.

Електричні параметри

Транзистор має максимальну напругу стік-витік -30 В та постійний струм стіка -7 А. Потужність розсіювання становить 1,6 Вт. Опір у відкритому стані дорівнює 35 мОм, що забезпечує ефективну роботу при комутації.

Корпус та монтаж

Компонент виконаний у стандартному корпусі SO8 із технологією монтажу SMD. Це дозволяє використовувати транзистор у пристроях із щільним компонуванням плат. Напруга затвор-витік обмежена значенням ±20 В.

Комплектація

У пакеті постачається 20 транзисторів. Така кількість зручна для прототипування або невеликих серійних виробів.

Характеристики
Основні
ВиробникON Semiconductor
Максимальна потужність розсіювання1.6 Вт
Максимально допустима напруга затвор-витік20 В
Опір у відкритому стані (Rds)35 mOm
Тип монтажуПоверхневий
Тип транзистораПольовий
Користувальницькі характеристики
Кількість у комплекті20 шт.
КорпусSO8
ТехнологіяPowerTrench®
Інформація для замовлення
  • Ціна: 3 290 ₴