
Транзистор P-MOSFET ONSEMI FDS4935A, -30В, -7А, SO8 (набір 20 шт.)
3 290 ₴
- В наявності
- Код: TM035602
P-канальний польовий транзистор ONSEMI FDS4935A у корпусі SO8 для монтажу на поверхню. Пристрій розрахований на напругу -30 В та струм -7 А, що робить його придатним для комутаційних задач у електронних схемах. Комплект складається з 20 одиниць.
- Тип транзистора: P-MOSFET
- Максимальна напруга стік-витік: -30 В
- Струм стіка: -7 А
- Потужність розсіювання: 1,6 Вт
- Корпус: SO8, монтаж SMD
- Опір у відкритому стані: 35 мОм
- Кількість у наборі: 20 шт.
Електричні параметри
Транзистор має максимальну напругу стік-витік -30 В та постійний струм стіка -7 А. Потужність розсіювання становить 1,6 Вт. Опір у відкритому стані дорівнює 35 мОм, що забезпечує ефективну роботу при комутації.
Корпус та монтаж
Компонент виконаний у стандартному корпусі SO8 із технологією монтажу SMD. Це дозволяє використовувати транзистор у пристроях із щільним компонуванням плат. Напруга затвор-витік обмежена значенням ±20 В.
Комплектація
У пакеті постачається 20 транзисторів. Така кількість зручна для прототипування або невеликих серійних виробів.
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | ON Semiconductor |
| Максимальна потужність розсіювання | 1.6 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 20 В |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 35 mOm |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 20 шт. |
| Корпус | SO8 |
| Технологія | PowerTrench® |
- Ціна: 3 290 ₴
