Транзистор P-MOSFET ONSEMI FDS4685, 2.5 Вт, SO8, набір 20 шт.
1 860 ₴
- В наявності
- Код: TM073692
Транзистор P-MOSFET ONSEMI FDS4685, 2.5 Вт, SO8, набір 20 шт.В наявності
1 860 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор P-MOSFET ONSEMI FDS4685 — це уніполярний польовий транзистор з каналом збагачення. Товар постачається набором із 20 одиниць у корпусі SO8 для поверхневого монтажу (SMD).
- Тип транзистора: P-MOSFET
- Потужність розсіювання: 2.5 Вт
- Корпус: SO8 (поверхневий монтаж)
- Технологія: PowerTrench®
- Кількість у наборі: 20 шт.
Тип та технологія
У пакуванні міститься 20 транзисторів. Пристрій виготовлений за технологією PowerTrench®. Корпус SO8 призначений для поверхневого монтажу (SMD).
Комплектація
Максимальна потужність розсіювання транзистора становить 2.5 Вт.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | ON Semiconductor |
| Максимальна потужність розсіювання | 2.5 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 20 В |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 42 mOm |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 20 шт. |
| Корпус | SO8 |
| Технологія | PowerTrench® |
Інформація для замовлення
- Ціна: 1 860 ₴