Транзистор N-MOSFET ONSEMI FDS4672A — це уніполярний польовий транзистор з каналом збагачення. Комплект складається з 20 одиниць у корпусі SO8 для поверхневого монтажу (SMD).
- Тип транзистора: N-MOSFET, уніполярний
- Максимальна напруга стік-витік: 40 В
- Максимальний струм стіка: 11 А
- Опір у відкритому стані: 21 мОм
- Корпус: SO8, монтаж SMD
- Кількість у комплекті: 20 шт.
Електричні параметри
Транзистор розрахований на максимальну напругу стік-витік 40 В та струм стіка 11 А. Опір у відкритому стані становить 21 мОм. Максимальна розсіювана потужність — 2,5 Вт.
Корпус та монтаж
Компонент виконаний у корпусі SO8 для поверхневого монтажу (SMD).
Комплектація
У пакеті постачається 20 транзисторів ONSEMI FDS4672A. Максимальна напруга затвор-витік становить ±12 В.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | ON Semiconductor |
| Максимальна потужність розсіювання | 2.5 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 12 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 40 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 11 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 21 mOm |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 20 шт. |
| Корпус | SO8 |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 190 ₴

