Кошик
+380 (96) 799-76-58
CLICKgo.fun- інтернет магазин
Кошик

Транзистор ONSEMI FDS4559, комплементарна пара N/P-MOSFET, SO8, 60 В, комплект 20 шт.

2 440 ₴

  • В наявності
  • Код: TM073691
Транзистор ONSEMI FDS4559, комплементарна пара N/P-MOSFET, SO8, 60 В, комплект 20 шт.
Транзистор ONSEMI FDS4559, комплементарна пара N/P-MOSFET, SO8, 60 В, комплект 20 шт.В наявності
2 440 ₴
+380 (96) 799-76-58
Менеджер
+380 (96) 799-76-58
Менеджер
У компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.

Комплект із 20 транзисторів ONSEMI FDS4559 у корпусі SO8. Це комплементарна пара N/P-MOSFET з напругою 60/-60 В та струмом 4,5/-3,5 А, призначена для монтажу на поверхню (SMD).

  • Комплект із 20 транзисторів
  • Корпус SO8 для SMD-монтажу
  • Напруга дренаж-джерело 60/-60 В
  • Струм дренажу 4,5/-3,5 А
  • Технологія PowerTrench®
  • Комплементарна пара N/P-MOSFET

Комплементарна пара MOSFET

Транзистори утворюють комплементарну пару N-канального та P-канального типів. Обидва компоненти є уніполярними та мають збагачуваний канал, що забезпечує стандартну логіку керування для схемотехнічних рішень.

Електричні параметри та опір

Максимальна напруга між виводами дренажу та джерела становить 60 В для N-каналу та -60 В для P-каналу. Струм дренажу обмежений значеннями 4,5 А та -3,5 А відповідно. Напруга на затворі може досягати ±20 В, а заряд затвора дорівнює 21 нКл. Опір у стані провідності становить 55/105 мОм.

Монтаж та корпус

Компоненти виготовлені у корпусі SO8 із технологією PowerTrench®. Призначені для поверхневого монтажу (SMD), що дозволяє розміщувати їх на друкованих платах без свердління отворів. Потужність розсіювання становить 2 Вт.

Характеристики
Основні
ВиробникON Semiconductor
Максимальна потужність розсіювання2 Вт
Максимально допустима напруга затвор-витік20 В
Тип монтажуПоверхневий
Тип транзистораБіполярний
Користувальницькі характеристики
Кількість у комплекті20 шт.
КорпусSO8
ТехнологіяPowerTrench®
Інформація для замовлення
  • Ціна: 2 440 ₴