
Транзистор ONSEMI FDS4559, комплементарна пара N/P-MOSFET, SO8, 60 В, комплект 20 шт.
2 440 ₴
- В наявності
- Код: TM073691
Комплект із 20 транзисторів ONSEMI FDS4559 у корпусі SO8. Це комплементарна пара N/P-MOSFET з напругою 60/-60 В та струмом 4,5/-3,5 А, призначена для монтажу на поверхню (SMD).
- Комплект із 20 транзисторів
- Корпус SO8 для SMD-монтажу
- Напруга дренаж-джерело 60/-60 В
- Струм дренажу 4,5/-3,5 А
- Технологія PowerTrench®
- Комплементарна пара N/P-MOSFET
Комплементарна пара MOSFET
Транзистори утворюють комплементарну пару N-канального та P-канального типів. Обидва компоненти є уніполярними та мають збагачуваний канал, що забезпечує стандартну логіку керування для схемотехнічних рішень.
Електричні параметри та опір
Максимальна напруга між виводами дренажу та джерела становить 60 В для N-каналу та -60 В для P-каналу. Струм дренажу обмежений значеннями 4,5 А та -3,5 А відповідно. Напруга на затворі може досягати ±20 В, а заряд затвора дорівнює 21 нКл. Опір у стані провідності становить 55/105 мОм.
Монтаж та корпус
Компоненти виготовлені у корпусі SO8 із технологією PowerTrench®. Призначені для поверхневого монтажу (SMD), що дозволяє розміщувати їх на друкованих платах без свердління отворів. Потужність розсіювання становить 2 Вт.
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | ON Semiconductor |
| Максимальна потужність розсіювання | 2 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 20 В |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Біполярний |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 20 шт. |
| Корпус | SO8 |
| Технологія | PowerTrench® |
- Ціна: 2 440 ₴
