Транзистор N-MOSFET ONSEMI FDS4470, 40В, 12,5А, SO8 — набір 20 шт.
3 160 ₴
- В наявності
- Код: TM018588
Транзистор N-MOSFET ONSEMI FDS4470, 40В, 12,5А, SO8 — набір 20 шт.В наявності
3 160 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор N-MOSFET ONSEMI FDS4470 — це уніполярний компонент із напругою 40 В та струмом 12,5 А. Призначений для монтажу на поверхню (SMD) у корпусі SO8.
- Тип: N-MOSFET, уніполярний
- Напруга дрена-джерела: 40 В
- Струм дрена: 12,5 А
- Потужність розсіювання: 2,5 Вт
- Корпус: SO8, монтаж SMD
- Кількість у комплекті: 20 шт.
Електричні параметри
Транзистор має напругу дрена-джерела 40 В та максимальний струм дрена 12,5 А. Потужність розсіювання становить 2,5 Вт. Напруга затвор-джерело допускає значення ±20 В.
Монтаж та корпус
Компонент виконаний у корпусі SO8 для поверхневого монтажу (SMD). Це забезпечує компактність вузлів та зручність автоматизованого виробництва.
Опір у стані провідності
Опір у стані провідності становить 14 мОм. Цей параметр визначає ефективність роботи транзистора у відкритому стані та мінімізує втрати енергії.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | ON Semiconductor |
| Максимальна потужність розсіювання | 2.5 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 20 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 40 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 12.5 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 14 mOm |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 20 шт. |
| Корпус | SO8 |
Інформація для замовлення
- Ціна: 3 160 ₴