Транзистор N-MOSFET ONSEMI FDS3672, 100В, 4,8А, SO8 (набір 20 шт.)

Транзистор N-MOSFET ONSEMI FDS3672 — це уніполярний компонент із каналом збагачення. Модель розрахована на напругу 100 В та струм 4,8 А. Поставляється набором із 20 штук у корпусі SO8.

• Тип транзистора: N-MOSFET з каналом збагачення
• Максимальна напруга дрена-джерела: 100 В
• Струм дрена: 4,8 А
• Опір у провідному стані: 43 мОм
• Корпус: SO8 для SMD монтажу
• Кількість у наборі: 20 шт.

Електричні параметри та потужність

Транзистор працює з напругою дрена-джерела до 100 В. Максимальний струм дрена становить 4,8 А. Опір у провідному стані дорівнює 43 мОм. Потужність розсіювання компонента становить 2,5 Вт.

Корпус та монтаж

Компонент виконаний у корпусі SO8 для поверхневого монтажу (SMD). Напруга затвор-джерело становить ±20 В.

Комплектація

Товар постачається як набір із 20 транзисторів.