
Транзистор N-MOSFET ONSEMI FDS3590, 80В, 6,5А, SO8 (набір 20 шт.)
3 000 ₴
- В наявності
- Код: TM018586
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор N-MOSFET ONSEMI FDS3590 — це уніполярний польовий транзистор з каналом збагачення, що використовується в електронних пристроях. Модель у корпусі SO8 має робочу напругу 80 В та струм стоку 6,5 А.
- Тип транзистора: N-MOSFET, уніполярний, канал збагачення
- Максимальна напруга стік-витік: 80 В
- Максимальний струм стоку: 6,5 А
- Опір у відкритому стані: 86 мОм
- Розсіювана потужність: 2,5 Вт
- Корпус: SO8, монтаж SMD
- Набір: 20 шт.
Електричні параметри
Транзистор працює з напругою стік-витік до 80 В. Максимальний струм стоку становить 6,5 А. Опір у відкритому стані дорівнює 86 мОм.
Теплові характеристики та монтаж
Максимальна розсіювана потужність транзистора становить 2,5 Вт. Компонент виконаний у корпусі SO8 із технологією монтажу SMD. Допустима напруга затвор-витік становить ±20 В.
Комплектація
Товар постачається у вигляді набору з 20 транзисторів.
Характеристики
| Основні атрибути | |
|---|---|
| Виробник | ON Semiconductor |
| Тип | Корпус |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 20 шт. |
| Корпус | SO8 |
| Максимальна потужність розсіювання | 2.5 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-висток | 20 В |
| Максимально допустима напруга стік-висток | 80 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 6.5 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 86 mOm |
| Тип монтажа | Поверхневий |
| Тип транзизора | Польова |
Інформація для замовлення
- Ціна: 3 000 ₴
