Транзистор N-MOSFET ONSEMI FDS2734, 250В, 3А, SO8 (набір 10 шт.)

Транзистор N-MOSFET ONSEMI FDS2734 — це уніполярний напівпровідниковий прилад з каналом збагачення. Модель виконана в корпусі SO8 для монтажу на поверхню (SMD) і реалізує технологію UltraFET®.

• Тип: N-MOSFET з каналом збагачення
• Напруга «дрен-джерело»: 250 В
• Струм стоку: 3 А
• Розсіювана потужність: 2,5 Вт
• Корпус: SO8, монтаж SMD
• Набір: 10 шт.

Електричні параметри та потужність

Транзистор працює з напругою «дрен-джерело» до 250 В та витримує постійний струм стоку 3 А. Максимальна розсіювана потужність становить 2,5 Вт, що визначає тепловий режим пристрою під навантаженням. Опір у відкритому стані дорівнює 0,225 Ом. Напруга «затвор-джерело» обмежена діапазоном ±20 В.

Корпус та монтаж

Компонент виготовлений у корпусі SO8, що є стандартом для поверхневого монтажу (SMD). Технологія UltraFET® зазначена у характеристиках виробника ONSEMI.

Заряд та керування затвором

Заряд затвора становить 45 нКл, що характеризує інерційність керування транзистором.