Транзистор N-MOSFET ONSEMI FDS2582, 150В, 2,6А, SO8 (набір 20 шт.)
3 260 ₴
- В наявності
- Код: TM035600
Транзистор N-MOSFET ONSEMI FDS2582, 150В, 2,6А, SO8 (набір 20 шт.)В наявності
3 260 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор N-MOSFET ONSEMI FDS2582 — це уніполярний польовий транзистор з ізольованим затвором у корпусі SO8 для монтажу на поверхню (SMD). Комплект складається з 20 одиниць.
- Тип транзистора: N-MOSFET, уніполярний
- Напруга стік-витік: 150 В
- Струм стіка: 2,6 А
- Корпус: SO8, монтаж SMD
- Опір у відкритому стані: 146 мОм
- Комплектація: 20 шт.
Електричні параметри
Транзистор розрахований на напругу стік-витік 150 В та струм стіка 2,6 А. Опір у відкритому стані становить 146 мОм. Максимальна розсіювана потужність дорівнює 2,5 Вт.
Технологія та монтаж
Виріб виготовлений за технологією PowerTrench®. Корпус SO8 призначений для поверхневого монтажу (SMD). Напруга затвор-витік обмежена ±20 В. Канал транзистора є збагачуваним (enhancement mode). Заряд затвора становить 25 нКл.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | ON Semiconductor |
| Максимальна потужність розсіювання | 2.5 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 20 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 150 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 2.6 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 146 mOm |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 20 шт. |
| Корпус | SO8 |
| Технологія | PowerTrench® |
Інформація для замовлення
- Ціна: 3 260 ₴