Транзистор N-MOSFET ONSEMI FDS2572, 150В, 3,1А, SO8 (набір 10 шт.)
2 090 ₴
- В наявності
- Код: TM035599
Транзистор N-MOSFET ONSEMI FDS2572, 150В, 3,1А, SO8 (набір 10 шт.)В наявності
2 090 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор N-MOSFET ONSEMI FDS2572 — це уніполярний польовий транзистор з каналом збагачення, призначений для роботи в електронних схемах. Модель виконана в корпусі SO8 для поверхневого монтажу (SMD) та реалізована за технологією UltraFET®.
- Тип: N-MOSFET, уніполярний, канал збагачення
- Максимальна напруга стік-витік: 150 В
- Струм стіка: 3,1 А
- Розсіювана потужність: 2,5 Вт
- Корпус: SO8, монтаж SMD
- Технологія: UltraFET®
- Набір: 10 штук
Електричні параметри
Транзистор розрахований на максимальну напругу стік-витік 150 В та струм стіка 3,1 А. Опір у відкритому стані становить 53 мОм. Загальний заряд затвора дорівнює 38 нКл, а допустима напруга затвор-витік обмежена ±20 В.
Потужність та монтаж
Максимальна розсіювана потужність компонента становить 2,5 Вт. Компонент має корпус SO8 та призначений для SMD-монтажу. Технологія UltraFET® визначає конструктивні особливості цього транзистора.
Комплектація
Товар поставляється набором із 10 штук.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | ON Semiconductor |
| Максимальна потужність розсіювання | 2.5 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 20 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 150 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 3.1 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 53 mOm |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 10 шт. |
| Корпус | SO8 |
| Технологія | UltraFET® |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 090 ₴