Транзистор N-MOSFET ONSEMI FDPF15N65, 650В, 9,5А, TO220FP — набір 10 шт.
3 080 ₴
- В наявності
- Код: TM018585
Транзистор N-MOSFET ONSEMI FDPF15N65, 650В, 9,5А, TO220FP — набір 10 шт.В наявності
3 080 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор N-MOSFET ONSEMI FDPF15N65 — це уніполярний компонент із напругою дрена-джерела 650 В та струмом дрена 9,5 А. Компонент у корпусі TO220FP.
- Напруга дрена-джерела: 650 В
- Струм дрена: 9,5 А (імпульсний до 60 А)
- Розсіювана потужність: 38,5 Вт
- Опір у стані провідності: 440 мОм
- Корпус: TO220FP, монтаж THT
- Комплект: 10 шт.
Висока напруга та струм
Транзистор витримує напругу дрена-джерела до 650 В. Номінальний струм дрена становить 9,5 А, а імпульсний струм (Idm) досягає 60 А, забезпечуючи запас міцності при короткочасних перевантаженнях.
Ефективне розсіювання тепла
Максимальна розсіювана потужність транзистора — 38,5 Вт. Корпус TO220FP, монтаж THT.
Низький опір та швидке перемикання
Опір у стані провідності (Rds(on)) дорівнює 440 мОм. Заряд затвора становить 63 нКл.
Зручна комплектація
Товар поставляється набором із 10 штук. Максимальна напруга затвор-джерело ±30 В.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | ON Semiconductor |
| Максимальна потужність розсіювання | 38.5 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 30 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 650 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 9.5 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 440 mOm |
| Тип монтажу | Вставний |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 10 шт. |
| Корпус | TO220FP |
Інформація для замовлення
- Ціна: 3 080 ₴