Транзистор N-MOSFET ONSEMI FDPC5030SG, 30В, 56А, PQFN8 (набір 20 шт.)

Транзистор N-MOSFET ONSEMI FDPC5030SG — це подвійний польовий транзистор з каналом збагачення, призначений для роботи в електронних схемах. Модель виконана в компактному корпусі PQFN8 для поверхневого монтажу (SMD) та поставляється набором із 20 штук.

• Тип: подвійний N-MOSFET транзистор
• Максимальна напруга стік-сорс: 30 В
• Струм стоку: 56/84 А
• Корпус: PQFN8 для SMD монтажу
• Опір у відкритому стані: 5/2,4 мОм
• Кількість у наборі: 20 шт.

Електричні параметри

Транзистор розрахований на максимальну напругу стік-сорс 30 В та струм стоку 56 А (або 84 А залежно від умов). Опір у відкритому стані становить 5/2,4 мОм. Потужність розсіювання дорівнює 23/25 Вт, а заряд затвора — 17/39 нКл.

Корпус та монтаж

Компонент виготовлений у корпусі PQFN8, що оптимізований для технології поверхневого монтажу (SMD). Таке виконання дозволяє розміщувати транзистор на друкованих платах із високою щільністю компонентів. Структура напівпровідника є асиметричною, що впливає на розподіл параметрів між двома каналами в одному корпусі.

Комплектація

Товар постачається як набір із 20 транзисторів. Транзистор є уніполярним, тобто працює лише з одним типом носіїв заряду. Напруга затвор-сорс становить ±20/±12 В, що визначає допустимі режими керування.