Транзистор N-MOSFET ONSEMI FDP61N20, 200V, 38.5A, TO220AB (набір 10 шт.)
2 290 ₴
- В наявності
- Код: TM073684
Транзистор N-MOSFET ONSEMI FDP61N20, 200V, 38.5A, TO220AB (набір 10 шт.)В наявності
2 290 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор N-MOSFET ONSEMI FDP61N20 — це уніполярний польовий транзистор з ізольованим затвором у корпусі TO220AB. Комплект складається з 10 одиниць, призначених для монтажу на плату (THT). Напруга затвор-витік становить ±30 В, а заряд затвора — 75 нКл. Символ виробника: FDP61N20.
- Напруга стік-витік: 200 В
- Струм стіка: 38,5 А
- Потужність розсіювання: 417 Вт
- Опір у відкритому стані: 41 мОм
- Корпус: TO220AB, монтаж THT
- Комплектація: 10 шт.
Електричні параметри
Транзистор має напругу стік-витік (Vds) 200 В та максимальний струм стіка (Id) 38,5 А. Потужність розсіювання становить 417 Вт. Опір у відкритому стані (Rds(on)) дорівнює 41 мОм.
Технологія та монтаж
Компонент виготовлений за технологією UniFET™. Тип каналу — збагачуваний (enhancement mode). Монтаж здійснюється виводами в отвори плати (THT), корпус TO220AB.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | ON Semiconductor |
| Максимальна потужність розсіювання | 417 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 30 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 200 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 38.5 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 41 mOm |
| Тип монтажу | Вставний |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 10 шт. |
| Корпус | TO220AB |
| Технологія | UniFET™ |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 290 ₴