Кошик
+380 (96) 799-76-58
CLICKgo.fun- інтернет магазин
Кошик

Транзистор N-MOSFET ONSEMI FDP51N25, 250В, 30А, TO220-3 (набір 10 шт.)

2 560 ₴

  • В наявності
  • Код: TM035598
Транзистор N-MOSFET ONSEMI FDP51N25, 250В, 30А, TO220-3 (набір 10 шт.)
Транзистор N-MOSFET ONSEMI FDP51N25, 250В, 30А, TO220-3 (набір 10 шт.)В наявності
2 560 ₴
+380 (96) 799-76-58
Менеджер
+380 (96) 799-76-58
Менеджер
У компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.

Транзистор N-MOSFET ONSEMI FDP51N25 — це уніполярний напівпровідниковий прилад з каналом збагачення, призначений для комутації у електронних схемах. Товар постачається набором із 10 штук у корпусі TO220-3, що зручно для серійного монтажу або створення запасу компонентів.

  • Набір із 10 транзисторів для серійного монтажу
  • Максимальна напруга стік-джерело 250 В
  • Струм стоку до 30 А
  • Потужність розсіювання 320 Вт
  • Опір у відкритому стані 60 мОм
  • Корпус TO220-3 для вивідного монтажу

Високий струм стоку

Прилад витримує постійний струм стоку до 30 А, що дозволяє керувати потужними навантаженнями. Така характеристика важлива для силових ключів та перетворювачів, де необхідна комутація великих струмів без втрати ефективності.

Висока потужність розсіювання

Транзистор здатний розсіювати до 320 Вт потужності, що дозволяє використовувати його в ланцюгах із значними навантаженнями. Така характеристика важлива для стабілізаторів напруги та імпульсних джерел живлення, де компонент працює в режимі підвищеного нагріву.

Зручний монтаж та комплектація

Компонент виконаний у стандартному корпусі TO220-3 для вивідного монтажу (THT), що спрощує пайку на друковані плати. Комплект із 10 штук дозволяє одночасно змонтувати кілька вузлів або забезпечити резерв для обслуговування.

Стійкість до високих напруг

Максимальна напруга між витоком та джерелом становить 250 В, що забезпечує надійну роботу в мережах із підвищеною напругою. Це робить транзистор придатним для промислового обладнання та силових перетворювачів, де необхідний запас міцності ізоляції.

Характеристики
Основні
ВиробникON Semiconductor
Максимальна потужність розсіювання320 Вт
Максимально допустима напруга затвор-витік30 В
Максимально допустима напруга стік-витік250 В
Максимально допустимий струм стоку30 А
Опір у відкритому стані (Rds)60 mOm
Тип монтажуВставний
Тип транзистораПольовий
Користувальницькі характеристики
Кількість у комплекті10 шт.
КорпусTO220-3
Інформація для замовлення
  • Ціна: 2 560 ₴