Транзистор N-MOSFET ONSEMI FDP18N50, 500 В, 10,8 А, TO220AB (набір 10 шт.)
2 280 ₴
- В наявності
- Код: TM073681
Транзистор N-MOSFET ONSEMI FDP18N50, 500 В, 10,8 А, TO220AB (набір 10 шт.)В наявності
2 280 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Набір із 10 транзисторів ONSEMI FDP18N50 типу N-MOSFET у корпусі TO220AB. Призначені для монтажу на плату (THT) та роботи з напругою до 500 В і струмом до 10,8 А.
- Тип: N-MOSFET, уніполярний
- Напруга стік-виток: 500 В
- Струм стоку: 10,8 А
- Потужність розсіювання: 235 Вт
- Корпус: TO220AB, монтаж THT
- Кількість у наборі: 10 шт.
Технічні параметри
Транзистор є уніполярним N-MOSFET з каналом збагачення. Максимальна напруга між витоком та стоком становить 500 В, а постійний струм стоку — 10,8 А. Опір у відкритому стані дорівнює 265 мОм.
Потужність та керування
Розсіювана потужність транзистора сягає 235 Вт. Напруга керування затвором обмежена ±30 В, а заряд затвора становить 60 нКл. Використовується технологія UniFET™.
Комплектація
У комплекті поставляється 10 транзисторів FDP18N50. Монтаж виконується методом виведених контактів (THT) у корпусі TO220AB.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | ON Semiconductor |
| Максимальна потужність розсіювання | 235 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 30 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 500 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 10.8 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 265 mOm |
| Тип монтажу | Вставний |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 10 шт. |
| Корпус | TO220AB |
| Технологія | UniFET™ |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 280 ₴