Транзистор N-MOSFET ONSEMI FDP083N15A-F102, 150В, 83А, TO220-3 (5 шт.)
1 880 ₴
- В наявності
- Код: TM073680
Транзистор N-MOSFET ONSEMI FDP083N15A-F102, 150В, 83А, TO220-3 (5 шт.)В наявності
1 880 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор N-MOSFET ONSEMI FDP083N15A-F102 — це уніполярний напівпровідниковий прилад з каналом збагачення. Комплект складається з 5 одиниць у корпусі TO220-3 з монтажем THT.
- Тип транзистора: N-MOSFET, уніполярний
- Максимальна напруга стік-джерело: 150 В
- Струм стіка: 83 А
- Потужність розсіювання: 294 Вт
- Опір у відкритому стані: 8,3 мОм
- Корпус: TO220-3, монтаж THT
- Кількість у комплекті: 5 шт.
Електричні параметри
Транзистор розрахований на максимальну напругу стік-джерело 150 В та постійний струм стіка 83 А. Потужність розсіювання становить 294 Вт. Опір у відкритому стані дорівнює 8,3 мОм.
Корпус та монтаж
Компонент виконаний у стандартному корпусі TO220-3 з виводами для монтажу на друковану плату методом THT (скрізний монтаж). Максимальна напруга затвор-джерело становить ±20 В.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | ON Semiconductor |
| Максимальна потужність розсіювання | 294 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 20 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 150 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 83 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 8.3 mOm |
| Тип монтажу | Вставний |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 5 шт. |
| Корпус | TO220-3 |
Інформація для замовлення
- Ціна: 1 880 ₴