
Транзистор N-MOSFET ONSEMI FDP070AN06A0, 60В, 80А, TO220-3 (набір 10 шт.)
2 580 ₴
- В наявності
- Код: TM018583
Транзистор N-MOSFET ONSEMI FDP070AN06A0 — це уніполярний напівпровідниковий прилад у корпусі TO220-3, призначений для комутації у електронних схемах. Комплект складається з 10 одиниць, що забезпечує зручність для серійного виробництва або ремонтних робіт. Прилад характеризується високою струмовою навантаженістю та низьким опором у відкритому стані.
- Тип транзистора: N-MOSFET, уніполярний
- Максимальна напруга дренаж-витік: 60 В
- Струм дренажу: 80 А
- Розсіювана потужність: 175 Вт
- Корпус: TO220-3, монтаж THT
- Кількість у комплекті: 10 шт.
Висока струмова навантаженість
Транзистор здатний пропускати струм дренажу до 80 А, що дозволяє використовувати його в силових ланцюгах із значним споживанням енергії.
Ефективність та тепловий режим
Розсіювана потужність становить 175 Вт, що вказує на здатність приладу працювати в умовах значного навантаження за умови належного охолодження. Низький опір у стані провідності (7 мОм) зменшує втрати енергії.
Зручність монтажу та комплектація
Компонент виконаний у стандартному корпусі TO220-3 із виводами для монтажу на поверхню друкованої плати (THT). Це спрощує процес пайки та інтеграції в існуючі схеми. У комплекті постачається 10 транзисторів.
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | ON Semiconductor |
| Максимальна потужність розсіювання | 175 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 20 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 60 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 80 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 7 mOm |
| Тип монтажу | Вставний |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 10 шт. |
| Корпус | TO220-3 |
- Ціна: 2 580 ₴
