Транзистор N-MOSFET ONSEMI FDP047AN08A0, 75В, 80А, TO220-3 (набір 10 шт.)

Транзистор N-MOSFET ONSEMI FDP047AN08A0 — це уніполярний напівпровідниковий прилад з каналом збагачення, призначений для комутації в електронних схемах. Комплект складається з 10 одиниць у корпусі TO220-3, що забезпечує зручність для серійного монтажу та заміни компонентів.

• Струм стоку до 80 А для потужних силових ланцюгів
• Розсіювана потужність 310 Вт забезпечує стійкість до нагріву
• Максимальна напруга стік-витік 75 В
• Корпус TO220-3 з монтажем THT для надійного кріплення
• Комплект із 10 транзисторів для серійного виробництва

Висока струмова навантаженість

Транзистор здатний пропускати струм стоку до 80 А, що дозволяє використовувати його в силових ланцюгах із високим споживанням. Цей параметр дозволяє використовувати транзистор у силових ланцюгах.

Ефективне розсіювання тепла

Максимальна розсіювана потужність становить 310 Вт, Це дозволяє транзистору працювати в умовах інтенсивного навантаження.

Зручний монтаж та корпус

Компонент виконаний у стандартному корпусі TO220-3 з технологією монтажу THT (скрізь отвори). Таке рішення забезпечує стандартне кріплення на друковані плати.

Стабільна робота при високих напругах

Максимальна напруга стік-витік становить 75 В, а напруга затвор-витік — ±20 В. Ці параметри визначають робочий діапазон транзистора. Тип каналу — збагачений (wzbogacany), що означає відсутність струму стоку при нульовій напрузі затвор-витік. Полярність транзистора — уніполярна, що відповідає класичній схемі керування N-MOSFET.