
Транзистор N-MOSFET ONSEMI FDP036N10A, 100В, 214А, TO220-3 — набір 5 шт.
2 570 ₴
- В наявності
- Код: TM018579
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор N-MOSFET ONSEMI FDP036N10A — це уніполярний компонент із каналом збагачення.
- Струм стоку 214 А та імпульсний струм 856 А
- Розсіювана потужність 333 Вт
- Низький опір у стані провідності 3,6 мОм
- Корпус TO220-3 із монтажем THT
- Напруга стік-витік 100 В
- Набір із 5 транзисторів
Висока потужність та струм
Транзистор розрахований на постійний струм стоку 214 А та імпульсний струм до 856 А. Максимальна розсіювана потужність становить 333 Вт.
Надійна ізоляція та керування
Максимальна напруга стік-витік дорівнює 100 В, а напруга затвор-витік — ±20 В. Низький опір у стані провідності 3,6 мОм.
Зручний монтаж та корпус
Компонент виконаний у корпусі TO220-3 із технологією монтажу THT (через отвори).
Комплектація
Товар постачається набором із 5 штук,
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | ON Semiconductor |
| Максимальна потужність розсіювання | 333 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 20 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 100 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 214 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 3.6 mOm |
| Тип монтажу | Вставний |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 5 шт. |
| Корпус | TO220-3 |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 570 ₴
