Транзистор N-MOSFET ONSEMI FDN5630, 60V, 1,7A, SuperSOT-3 (40 шт.)

Транзистор N-MOSFET ONSEMI FDN5630 — це уніполярний компонент з каналом збагачення, призначений для монтажу на поверхню (SMD). Пакет містить 40 одиниць у корпусі SuperSOT-3.

• Тип: N-MOSFET, уніполярний, канал збагачення
• Напруга стік-джерело: 60 В
• Струм стоку: 1,7 А
• Розсіювана потужність: 0,5 Вт
• Корпус: SuperSOT-3, монтаж SMD
• Кількість у комплекті: 40 шт.

Електричні параметри

Транзистор працює з напругою стік-джерело до 60 В та витримує струм стоку 1,7 А. Опір у відкритому стані становить 0,18 Ом. Максимальна розсіювана потужність обмежена 0,5 Вт.

Технологія та монтаж

Компонент виготовлений за технологією PowerTrench®. Корпус SuperSOT-3 та тип монтажу SMD. Заряд затвора становить 10 нКл, а допустима напруга затвор-джерело — ±20 В.

Комплектація

У наборі постачається 40 транзисторів FDN5630. Транзистор має логічний рівень керування (logic level). Допустима напруга затвор-джерело становить ±20 В.