Транзистор N-MOSFET ONSEMI FDN537N, 30 В, 8 А, SOT23, комплект 30 шт.

Комплект із 30 польових транзисторів ONSEMI FDN537N типу N-MOSFET у корпусі SOT23. Призначений для монтажу на поверхню плати (SMD) у електронних пристроях із навантаженням до 8 А.

• Тип: N-MOSFET, канал збагачуваний
• Напруга стік-витік: 30 В
• Струм стіка: 8 А (постійний), 25 А (імпульсний)
• Корпус: SOT23, монтаж SMD
• Опір у відкритому стані: 30 мОм
• Комплект: 30 шт.

Електричні параметри

Транзистор має напругу стік-витік 30 В та постійний струм стіка 8 А. У імпульсному режимі струм може досягати 25 А. Опір у відкритому стані становить 30 мОм.

Корпус та монтаж

Компонент виконаний у компактному корпусі SOT23 для поверхневого монтажу (SMD).

Комплект поставки

У наборі постачається 30 однакових транзисторів. Максимальна розсіювана потужність становить 1,5 Вт, а заряд затвора — 8,4 нКл. Напруга затвор-витік допускає значення ±20 В. Транзистор є уніполярним із каналом збагачуваного типу.