Транзистор P-MOSFET ONSEMI FDN360P, SuperSOT-3, -30В, -2А (комплект 40 шт.)

Транзистор P-MOSFET ONSEMI FDN360P у корпусі SuperSOT-3 — це уніполярний компонент із каналом збагачення, призначений для монтажу на поверхню (SMD). Комплект складається з 40 одиниць.

• Тип транзистора: P-MOSFET, уніполярний
• Напруга стік-витік: -30 В
• Струм стоку: -2 А
• Потужність розсіювання: 0,5 Вт
• Корпус: SuperSOT-3, монтаж SMD
• Опір у відкритому стані: 136 мОм
• Комплектація: 40 шт.

Технічні параметри та корпус

Компонент має напругу стік-витік -30 В та струм стоку -2 А, що визначає його робочі межі в схемах керування. Потужність розсіювання становить 0,5 Вт, а опір у відкритому стані — 136 мОм. Корпус SuperSOT-3. Монтаж: SMD.

Особливості керування та технологія

Транзистор є уніполярним із каналом збагачення. Максимальна напруга затвор-витік становить ±20 В, а заряд затвора — 9 нКл. Компонент виготовлений за технологією PowerTrench®.