Транзистор N-MOSFET ONSEMI FDN359AN, 30 В, 2,7 А, SuperSOT-3 (30 шт.)

Транзистор N-MOSFET ONSEMI FDN359AN — це уніполярний компонент з каналом збагачення, призначений для монтажу на поверхню (SMD) у корпусі SuperSOT-3. Комплект складається з 30 одиниць.

• Тип: N-MOSFET, уніполярний, канал збагачення
• Напруга стік-виток: 30 В
• Струм стоку: 2,7 А
• Опір у відкритому стані: 75 мОм
• Корпус: SuperSOT-3, монтаж SMD
• Технологія: PowerTrench®
• Комплектація: 30 шт.

Електричні параметри та потужність

Максимальна напруга між стоком та витоком становить 30 В, а постійний струм стоку — 2,7 А. Опір у відкритому стані дорівнює 75 мОм. Напруга на затворі може змінюватися в межах ±20 В.

Корпус та монтаж

Транзистор виготовлений за технологією PowerTrench®. Монтаж виконується методом SMD, що дозволяє розміщувати компонент на поверхні друкованої плати. Корпус SuperSOT-3 забезпечує компактне компонування.

Керування та швидкодія

Транзистор має властивість Logic Level, що означає можливість керування низькою напругою на затворі. Заряд затвора становить 7 нКл, що характеризує швидкість перемикання. Потужність розсіювання обмежена значенням 0,5 Вт.