Транзистор N-MOSFET ONSEMI FDN357N, 30V, 1.9A, SuperSOT-3 (30 шт.)
2 040 ₴
- В наявності
- Код: TM073675
Транзистор N-MOSFET ONSEMI FDN357N, 30V, 1.9A, SuperSOT-3 (30 шт.)В наявності
2 040 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор N-MOSFET ONSEMI FDN357N — це уніполярний компонент із каналом збагачення, призначений для монтажу на поверхню (SMD). Пакет містить 30 одиниць у корпусі SuperSOT-3.
- Тип: N-MOSFET, уніполярний, канал збагачення
- Напруга стік-виток: 30 В
- Струм стоку: 1,9 А
- Опір у відкритому стані: 0,14 Ом
- Корпус: SuperSOT-3, монтаж SMD
- Комплектація: 30 шт.
Електричні параметри та робочі характеристики
Максимальна напруга між стоком та витоком становить 30 В, а постійний струм стоку — 1,9 А. Опір у відкритому стані становить 0,14 Ом, а розсіювана потужність — 0,5 Вт. Напруга на затворі може досягати ±20 В.
Виробничі характеристики та монтаж
Компонент виготовлений за технологією PowerTrench®. Корпус SuperSOT-3 та тип монтажу SMD. Заряд затвора становить 5,9 нКл.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | ON Semiconductor |
| Максимальна потужність розсіювання | 0.5 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 20 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 30 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 1.9 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 140 mOm |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 30 шт. |
| Корпус | SuperSOT-3 |
| Технологія | PowerTrench® |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 040 ₴