Транзистор P-MOSFET ONSEMI FDN340P, SuperSOT-3, -20В, -2А (50 шт.)
1 990 ₴
- В наявності
- Код: TM073674
Транзистор P-MOSFET ONSEMI FDN340P, SuperSOT-3, -20В, -2А (50 шт.)В наявності
1 990 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор P-MOSFET ONSEMI FDN340P — це уніполярний компонент із каналом збагачення, призначений для монтажу на поверхню (SMD). Пакет містить 50 одиниць у корпусі SuperSOT-3.
- Тип транзистора: P-MOSFET, уніполярний, канал збагачення
- Напруга дрена-джерела: -20 В
- Струм дрена: -2 А (постійний), -10 А (імпульсний)
- Розсіювана потужність: 0,5 Вт
- Корпус: SuperSOT-3, монтаж SMD
- Комплектація: 50 шт.
Електричні параметри
Транзистор працює при напрузі дрена-джерела до -20 В та постійному струмі дрена до -2 А. У імпульсному режимі допустимий струм сягає -10 А. Опір у стані провідності становить 0,11 Ом, а заряд затвора — 10 нКл.
Корпус та технологія
Компонент виготовлений за технологією PowerTrench® у корпусі SuperSOT-3. Монтаж виконується методом SMD.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | ON Semiconductor |
| Максимальна потужність розсіювання | 0.5 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 8 В |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 110 mOm |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 50 шт. |
| Корпус | SuperSOT-3 |
| Технологія | PowerTrench® |
Інформація для замовлення
- Ціна: 1 990 ₴