Транзистор P-MOSFET ONSEMI FDN338P, SuperSOT-3, -20В, -1,6А (комплект 40 шт.)
2 040 ₴
- В наявності
- Код: TM073673
Транзистор P-MOSFET ONSEMI FDN338P, SuperSOT-3, -20В, -1,6А (комплект 40 шт.)В наявності
2 040 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
P-канальний MOSFET-транзистор ONSEMI FDN338P у корпусі SuperSOT-3 для монтажу на поверхню (SMD). Комплект складається з 40 одиниць. Транзистор має властивість логічного рівня керування (logic level).
- Тип: P-MOSFET, уніполярний, збагачуваний канал
- Корпус: SuperSOT-3, монтаж SMD
- Максимальна напруга стік-витік: -20 В
- Максимальний струм стіка: -1,6 А
- Потужність розсіювання: 0,5 Вт
- Опір у відкритому стані: 0,165 Ом
- Технологія: PowerTrench®
- Комплектація: 40 шт.
Електричні параметри
Транзистор має максимальну напругу стік-витік -20 В та максимальний струм стіка -1,6 А. Потужність розсіювання становить 0,5 Вт. Опір у відкритому стані дорівнює 0,165 Ом.
Корпус та монтаж
Виріб виготовлений за технологією PowerTrench®. Корпус SuperSOT-3 призначений для поверхневого монтажу (SMD). Транзистор є уніполярним із збагачуваним каналом. Напруга затвор-витік становить ±8 В, а заряд затвора — 6,2 нКл.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | ON Semiconductor |
| Максимальна потужність розсіювання | 0.5 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 8 В |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 165 mOm |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 40 шт. |
| Корпус | SuperSOT-3 |
| Технологія | PowerTrench® |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 040 ₴