Кошик
+380 (96) 799-76-58
CLICKgo.fun- інтернет магазин
Кошик

Транзистор N-MOSFET ONSEMI FDN335N, SuperSOT-3, 20 В, 1,7 А (комплект 40 шт.)

1 950 ₴

  • В наявності
  • Код: TM073672
Транзистор N-MOSFET ONSEMI FDN335N, SuperSOT-3, 20 В, 1,7 А (комплект 40 шт.)
Транзистор N-MOSFET ONSEMI FDN335N, SuperSOT-3, 20 В, 1,7 А (комплект 40 шт.)В наявності
1 950 ₴
+380 (96) 799-76-58
Менеджер
+380 (96) 799-76-58
Менеджер
У компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.

Транзистор N-MOSFET ONSEMI FDN335N у корпусі SuperSOT-3 — це уніполярний польовий транзистор із каналом збагачення, призначений для монтажу на поверхню (SMD).## Комплектація

  • Тип: N-MOSFET, уніполярний, канал збагачення
  • Корпус: SuperSOT-3, монтаж SMD
  • Напруга стік-витік: 20 В
  • Струм стіка: 1,7 А
  • Розсіювана потужність: 0,5 Вт
  • Опір у відкритому стані: 0,12 Ом
  • Технологія: PowerTrench®, логічний рівень керування
  • Комплектація: 40 шт.

Електричні параметри

Транзистор працює з напругою стік-витік до 20 В та витримує струм стіка 1,7 А. Максимальна розсіювана потужність становить 0,5 Вт. Опір у відкритому стані дорівнює 0,12 Ом.

Особливості керування

Пристрій використовує технологію PowerTrench® та має логічний рівень керування (logic level),. Напруга затвор-витік обмежена ±8 В, а загальний заряд затвора становить 5 нКл.

Монтаж та корпус

Компонент виконаний у корпусі SuperSOT-3 для поверхневого монтажу (SMD).

Характеристики
Основні
ВиробникON Semiconductor
Максимальна потужність розсіювання0.5 Вт
Максимально допустима напруга затвор-витік8 В
Максимально допустима напруга стік-витік20 В
Максимально допустимий струм стоку1.7 А
Опір у відкритому стані (Rds)120 mOm
Тип монтажуПоверхневий
Тип транзистораПольовий
Користувальницькі характеристики
Кількість у комплекті40 шт.
КорпусSuperSOT-3
ТехнологіяPowerTrench®
Інформація для замовлення
  • Ціна: 1 950 ₴