
Транзистор N-MOSFET ONSEMI FDN335N, SuperSOT-3, 20 В, 1,7 А (комплект 40 шт.)
1 950 ₴
- В наявності
- Код: TM073672
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор N-MOSFET ONSEMI FDN335N у корпусі SuperSOT-3 — це уніполярний польовий транзистор із каналом збагачення, призначений для монтажу на поверхню (SMD).## Комплектація
- Тип: N-MOSFET, уніполярний, канал збагачення
- Корпус: SuperSOT-3, монтаж SMD
- Напруга стік-витік: 20 В
- Струм стіка: 1,7 А
- Розсіювана потужність: 0,5 Вт
- Опір у відкритому стані: 0,12 Ом
- Технологія: PowerTrench®, логічний рівень керування
- Комплектація: 40 шт.
Електричні параметри
Транзистор працює з напругою стік-витік до 20 В та витримує струм стіка 1,7 А. Максимальна розсіювана потужність становить 0,5 Вт. Опір у відкритому стані дорівнює 0,12 Ом.
Особливості керування
Пристрій використовує технологію PowerTrench® та має логічний рівень керування (logic level),. Напруга затвор-витік обмежена ±8 В, а загальний заряд затвора становить 5 нКл.
Монтаж та корпус
Компонент виконаний у корпусі SuperSOT-3 для поверхневого монтажу (SMD).
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | ON Semiconductor |
| Максимальна потужність розсіювання | 0.5 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 8 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 20 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 1.7 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 120 mOm |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 40 шт. |
| Корпус | SuperSOT-3 |
| Технологія | PowerTrench® |
Інформація для замовлення
- Ціна: 1 950 ₴
