Кошик
+380 (96) 799-76-58
CLICKgo.fun- інтернет магазин
Кошик

Транзистор N-MOSFET ONSEMI FDN327N, SuperSOT-3, 20В, 2А (комплект 40 шт.)

2 080 ₴

  • В наявності
  • Код: TM035596
Транзистор N-MOSFET ONSEMI FDN327N, SuperSOT-3, 20В, 2А (комплект 40 шт.)
Транзистор N-MOSFET ONSEMI FDN327N, SuperSOT-3, 20В, 2А (комплект 40 шт.)В наявності
2 080 ₴
+380 (96) 799-76-58
Менеджер
+380 (96) 799-76-58
Менеджер
У компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.

Транзистор N-MOSFET ONSEMI FDN327N — це уніполярний польовий транзистор з каналом збагачення, призначений для монтажу на поверхню (SMD). Товар постачається комплектом із 40 одиниць у корпусі SuperSOT-3.

  • Тип: N-MOSFET, уніполярний, канал збагачення
  • Напруга стік-витік: 20 В
  • Струм стіка: 2 А
  • Розсіювана потужність: 0,5 Вт
  • Корпус: SuperSOT-3, монтаж SMD
  • Комплект: 40 шт.

Електричні параметри

Транзистор розрахований на максимальну напругу стік-витік 20 В та струм стіка 2 А. Опір у відкритому стані становить 0,12 Ом. Максимальна розсіювана потужність дорівнює 0,5 Вт.

Особливості керування

Пристрій використовує технологію PowerTrench® та має логічний рівень керування (logic level). Напруга затвор-витік обмежена значенням ±8 В, а заряд затвора становить 6,3 нКл. Транзистор має логічний рівень керування (logic level).

Монтаж та корпус

Компонент виконаний у корпусі SuperSOT-3 для поверхневого монтажу (SMD).

Характеристики
Основні
ВиробникON Semiconductor
Максимальна потужність розсіювання0.5 Вт
Максимально допустима напруга затвор-витік8 В
Максимально допустима напруга стік-витік20 В
Максимально допустимий струм стоку2 А
Опір у відкритому стані (Rds)120 mOm
Тип монтажуПоверхневий
Тип транзистораПольовий
Користувальницькі характеристики
Кількість у комплекті40 шт.
КорпусSuperSOT-3
ТехнологіяPowerTrench®
Інформація для замовлення
  • Ціна: 2 080 ₴