
Транзистор N-MOSFET ONSEMI FDN327N, SuperSOT-3, 20В, 2А (комплект 40 шт.)
2 080 ₴
- В наявності
- Код: TM035596
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор N-MOSFET ONSEMI FDN327N — це уніполярний польовий транзистор з каналом збагачення, призначений для монтажу на поверхню (SMD). Товар постачається комплектом із 40 одиниць у корпусі SuperSOT-3.
- Тип: N-MOSFET, уніполярний, канал збагачення
- Напруга стік-витік: 20 В
- Струм стіка: 2 А
- Розсіювана потужність: 0,5 Вт
- Корпус: SuperSOT-3, монтаж SMD
- Комплект: 40 шт.
Електричні параметри
Транзистор розрахований на максимальну напругу стік-витік 20 В та струм стіка 2 А. Опір у відкритому стані становить 0,12 Ом. Максимальна розсіювана потужність дорівнює 0,5 Вт.
Особливості керування
Пристрій використовує технологію PowerTrench® та має логічний рівень керування (logic level). Напруга затвор-витік обмежена значенням ±8 В, а заряд затвора становить 6,3 нКл. Транзистор має логічний рівень керування (logic level).
Монтаж та корпус
Компонент виконаний у корпусі SuperSOT-3 для поверхневого монтажу (SMD).
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | ON Semiconductor |
| Максимальна потужність розсіювання | 0.5 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 8 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 20 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 2 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 120 mOm |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 40 шт. |
| Корпус | SuperSOT-3 |
| Технологія | PowerTrench® |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 080 ₴
