Транзистор P-MOSFET ONSEMI FDN304PZ, SuperSOT-3, 30 шт.
2 070 ₴
- В наявності
- Код: TM073671
Транзистор P-MOSFET ONSEMI FDN304PZ, SuperSOT-3, 30 шт.В наявності
2 070 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор P-MOSFET ONSEMI FDN304PZ — це уніполярний компонент із каналом збагачення, призначений для монтажу на поверхню (SMD). Товар постачається комплектом із 30 штук у корпусі SuperSOT-3.
- Тип транзистора: P-MOSFET, уніполярний
- Напруга дрена-джерела: -20 В
- Струм дрена: -2,4 А
- Потужність розсіювання: 0,5 Вт
- Корпус: SuperSOT-3, монтаж SMD
- Комплектація: 30 шт.
Електричні параметри
Транзистор розрахований на напругу дрена-джерела -20 В та струм дрена -2,4 А. Потужність розсіювання становить 0,5 Вт, а опір у стані провідності — 0,1 Ом. Напруга затвор-джерело обмежена ±8 В.
Технологія та характеристики
Компонент виконаний у корпусі SuperSOT-3 із технологією монтажу SMD. Заряд затвора становить 20 нКл, а властивості елемента включають логічний рівень керування. Використано технологію PowerTrench®.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | ON Semiconductor |
| Максимальна потужність розсіювання | 0.5 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 8 В |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 100 mOm |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 30 шт. |
| Корпус | SuperSOT-3 |
| Технологія | PowerTrench® |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 070 ₴