Транзистор P-MOSFET ONSEMI FDN304P, SOT23, -20В, -2,4А (комплект 40 шт.)

Транзистор P-MOSFET ONSEMI FDN304P — це уніполярний польовий транзистор з каналом збагачення в корпусі SOT23. Комплект складається з 40 одиниць, призначених для поверхневого монтажу (SMD).

• Тип: P-MOSFET, уніполярний, канал збагачення
• Напруга стік-витік: -20 В
• Струм стоку: -2,4 А
• Потужність розсіювання: 0,5 Вт
• Опір у відкритому стані: 0,1 Ом
• Корпус: SOT23, монтаж SMD
• Комплект: 40 шт.

Електричні параметри

Транзистор працює з напругою стік-витік до -20 В та витримує струм стоку до -2,4 А. Потужність розсіювання становить 0,5 Вт, а опір у відкритому стані — 0,1 Ом.

Керування та заряд затвора

Напруга затвор-витік обмежена ±8 В, що визначає допустимий рівень керуючого сигналу. Заряд затвора дорівнює 20 нКл, що впливає на швидкість перемикання транзистора.