Транзистор P-MOSFET ONSEMI FDN302P, SuperSOT-3, -20В, -2,4А (комплект 40 шт.)
2 240 ₴
- В наявності
- Код: TM073669
Транзистор P-MOSFET ONSEMI FDN302P, SuperSOT-3, -20В, -2,4А (комплект 40 шт.)В наявності
2 240 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
P-канальний MOSFET-транзистор ONSEMI FDN302P у корпусі SuperSOT-3 для поверхневого монтажу (SMD). Пристрій розрахований на напругу дрена-джерела -20 В та струм дрена -2,4 А.
- Тип: P-MOSFET, уніполярний, збагачуваний канал
- Корпус: SuperSOT-3, монтаж SMD
- Максимальна напруга дрена-джерела: -20 В
- Максимальний струм дрена: -2,4 А
- Потужність розсіювання: 0,5 Вт
- Опір у стані провідності: 84 мОм
- Комплект: 40 шт.
Електричні характеристики
Транзистор має максимальну потужність розсіювання 0,5 Вт. Опір у стані провідності становить 84 мОм, а заряд затвора — 14 нКл. Напруга затвор-джерело допускає значення ±12 В. Транзистор має властивість logic level (керування логічним рівнем).
Корпус та технологія
Компонент виконаний у корпусі SuperSOT-3 із технологією PowerTrench®. Монтаж здійснюється методом SMD (поверхневий монтаж). Товар поставляється як набір із 40 транзисторів.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | ON Semiconductor |
| Максимальна потужність розсіювання | 0.5 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 12 В |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 84 mOm |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 40 шт. |
| Корпус | SuperSOT-3 |
| Технологія | PowerTrench® |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 240 ₴