Транзистор N-MOSFET ONSEMI FDN028N20, 20В, 6.1А, SOT23, 30 шт.
2 080 ₴
- В наявності
- Код: TM035595
Транзистор N-MOSFET ONSEMI FDN028N20, 20В, 6.1А, SOT23, 30 шт.В наявності
2 080 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор N-MOSFET ONSEMI FDN028N20 — це уніполярний напівпровідниковий прилад у корпусі SOT23 для монтажу на поверхню (SMD). Комплект складається з 30 одиниць.
- Тип транзистора: N-MOSFET, уніполярний
- Напруга дрена-джерела: 20В
- Струм дрена: 6.1А (у імпульсі до 52А)
- Корпус: SOT23, монтаж SMD
- Опір у відкритому стані: 28мОм
- Розсіювана потужність: 1.5Вт
- Кількість у комплекті: 30 шт.
Електричні параметри та потужність
Транзистор має напругу дрена-джерела 20В та постійний струм дрена 6.1А. У імпульсному режимі струм може досягати 52А. Напруга на затворі становить ±12В, а опір у відкритому стані — 28мОм.
Корпус та монтаж
Прилад виготовлений у корпусі SOT23. Монтаж здійснюється методом SMD (поверхневий монтаж).
Максимальна розсіювана потужність транзистора становить 1.5Вт. Заряд затвора дорівнює 4.3нКл.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | ON Semiconductor |
| Максимальна потужність розсіювання | 1.5 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 12 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 20 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 6.1 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 28 mOm |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 30 шт. |
| Корпус | SOT23 |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 080 ₴