
Транзистор N-MOSFET ONSEMI FDMS86520L, 60В, 22А, Power56 (набір 10 шт.)
1 900 ₴
- В наявності
- Код: TM073668
Транзистор N-MOSFET ONSEMI FDMS86520L — це уніполярний польовий транзистор з каналом збагачення, призначений для роботи в електронних схемах. Модель розрахована на напругу 60 В та постійний струм 22 А, що робить її придатною для комутаційних задач із середнім навантаженням.
- Тип: N-MOSFET, уніполярний, канал збагачення
- Напруга «дрен-витік»: 60 В
- Постійний струм «дрена»: 22 А (імпульсний: 60 А)
- Розсіювана потужність: 69 Вт
- Опір у відкритому стані: 11,8 мОм
- Корпус: Power56, монтаж SMD
- Набір: 10 шт.
Комутаційні характеристики
Транзистор FDMS86520L має максимальну напругу «дрен-витік» 60 В та постійний струм «дрена» 22 А. У імпульсному режимі допустимий струм зростає до 60 А, що дозволяє витримувати короткочасні пікові навантаження. Це важливо для схем, де потрібна швидка реакція на зміни навантаження.
Ефективність та опір
Опір у відкритому стані становить 11,8 мОм, що сприяє зниженню втрат потужності при комутації. Максимальна розсіювана потужність транзистора — 69 Вт. Низький опір відкритого каналу дозволяє ефективніше використовувати енергію та зменшувати нагрів компонентів у пристрої.
Корпус та монтаж
Пристрій виконаний у корпусі Power56 із технологією монтажу SMD (поверхневий монтаж), що забезпечує компактність та зручність автоматизованого виробництва плат. Напруга «затвор-витік» обмежена ±20 В, а заряд затвора становить 63 нКл, що визначає вимоги до драйвера затвора.
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | ON Semiconductor |
| Максимальна потужність розсіювання | 69 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 20 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 60 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 22 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 11.8 mOm |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 10 шт. |
| Корпус | Power56 |
- Ціна: 1 900 ₴
