Транзистор N-MOSFET ONSEMI FDMS86252L, 150В, 12А, PQFN8 (набір 10 шт.)

Транзистор N-MOSFET ONSEMI FDMS86252L — це уніполярний польовий транзистор з каналом збагачення, призначений для роботи в електронних схемах із навантаженням до 12 А. Модель у корпусі PQFN8 забезпечує розсіювання потужності до 50 Вт та мінімальний опір у відкритому стані 0,11 Ом.

• Тип транзистора: N-MOSFET, уніполярний, канал збагачення
• Максимальна напруга дрена-джерела: 150 В
• Струм дрена: 12 А
• Розсіювана потужність: 50 Вт
• Опір у стані провідності: 0,11 Ом
• Корпус: PQFN8, монтаж SMD
• Набір: 10 штук

Висока напруга та струм

Транзистор розрахований на максимальну напругу дрена-джерела 150 В та максимальний струм дрена 12 А. Це дозволяє використовувати компонент у силових ланцюгах для комутації навантажень.

Ефективне розсіювання тепла

Максимальна розсіювана потужність становить 50 Вт, що робить транзистор придатним для роботи в режимах із підвищеним тепловиділенням. Низький опір у стані провідності 0,11 Ом зменшує втрати енергії та нагрівання компонента під час роботи.

Зручний монтаж та корпус

Компонент виконаний у корпусі PQFN8 для поверхневого монтажу (SMD), що спрощує автоматизоване виробництво плат. Максимальна напруга затвор-джерело становить ±20 В.

Комплектація

Увага: товар постачається набором із 10 транзисторів. Така упаковка зручна для серійного виробництва або ремонту обладнання, де використовується кілька однакових компонентів.