Транзистор N-MOSFET ONSEMI FDMS86101DC, 100В, 60А, DFN8 (5 шт.)
2 370 ₴
- В наявності
- Код: TM073667
Транзистор N-MOSFET ONSEMI FDMS86101DC, 100В, 60А, DFN8 (5 шт.)В наявності
2 370 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор N-MOSFET ONSEMI FDMS86101DC — це уніполярний напівпровідниковий прилад у корпусі DFN8 для монтажу на поверхню (SMD). Комплект складається з 5 одиниць, призначених для роботи з напругою до 100 В та струмом до 60 А.
- Тип транзистора: N-MOSFET, уніполярний
- Максимальна напруга стік-виток: 100 В
- Максимальний струм стоку: 60 А
- Розсіювана потужність: 125 Вт
- Опір у стані провідності: 13 мОм
- Корпус: DFN8, монтаж SMD
- Кількість у комплекті: 5 шт.
Тип та канал транзистора
Прилад є транзистором типу N-MOSFET з уніполярною структурою. Канал транзистора є збагаченим, що визначає принципи його керування та відкривання.
Напруга та струм
Транзистор розрахований на максимальну напругу між витоком та стоком 100 В. Допустимий струм стоку становить 60 А, а напруга на затворі може змінюватися в межах ±20 В.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | ON Semiconductor |
| Максимальна потужність розсіювання | 125 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 20 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 100 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 60 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 13 mOm |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 5 шт. |
| Корпус | DFN8 |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 370 ₴