Транзистор P-MOSFET ONSEMI FDMS4435BZ, -30В, -18А, Power56 (комплект 20 шт.)
2 110 ₴
- В наявності
- Код: TM073665
Транзистор P-MOSFET ONSEMI FDMS4435BZ, -30В, -18А, Power56 (комплект 20 шт.)В наявності
2 110 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор P-MOSFET ONSEMI FDMS4435BZ — це уніполярний польовий транзистор з каналом збагачення, призначений для роботи в електронних схемах. Компонент виконаний у корпусі Power56 для поверхневого монтажу (SMD) та постачається комплектом із 20 штук.
- Тип: P-MOSFET, уніполярний, канал збагачення
- Напруга стік-витік: -30 В
- Струм стіка: -18 А (постійний), -50 А (імпульсний)
- Розсіювана потужність: 39 Вт
- Опір у відкритому стані: 37 мОм
- Корпус: Power56, монтаж SMD
- Комплектація: 20 штук
Електричні параметри
Транзистор розрахований на максимальну напругу стік-витік -30 В та постійний струм стіка -18 А. У імпульсному режимі струм може досягати -50 А. Максимальна розсіювана потужність становить 39 Вт, а опір у відкритому стані — 37 мОм.
Корпус та монтаж
Компонент виготовлений у корпусі Power56, який оптимізований для поверхневого монтажу (SMD). Заряд затвора становить 47 нКл.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | ON Semiconductor |
| Максимальна потужність розсіювання | 39 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 25 В |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 37 mOm |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 20 шт. |
| Корпус | Power56 |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 110 ₴