Транзистор ON Semiconductor FDMS3664S, N-MOSFET x2, 30/30V, 30/60A, Power56, 20 шт.

Комплект із 20 транзисторів ON Semiconductor FDMS3664S. Це подвійні N-MOSFET транзистори з каналом збагачення, розраховані на напругу 30/30 В та струм 30/60 А.

• Комплект: 20 шт.
• Тип: N-MOSFET x2 (подвійний)
• Напруга стік-виток: 30/30 В
• Струм стоку: 30/60 А
• Корпус: Power56 (SMD)
• Розсіювана потужність: 2,2/2,5 Вт

Електричні параметри

Транзистори мають подвійну структуру (N-MOSFET x2) та уніполярну поляризацію. Максимальна напруга між стоком та витоком становить 30/30 В, а максимальний струм стоку — 30/60 А. Напруга між затвором та витоком обмежена ±20/±12 В.

Потужність та опір у провідному стані

Розсіювана потужність транзисторів дорівнює 2,2/2,5 Вт. Опір у провідному стані (Rds(on)) становить 11/4,5 мОм, що свідчить про низькі втрати при роботі. Заряд затвора (Qg) — 29/52 нКл.

Корпус Power56 та монтаж SMD

Компоненти виготовлені у корпусі Power56 для поверхневого монтажу (SMD). Таке виконання підходить для автоматизованого виробництва друкованих плат. Комплект містить 20 транзисторів, що зручно для серійного виробництва або складання пристроїв.