
Транзистор N-MOSFET ONSEMI FDMC7692, 30V, 16A, WDFN8 (набір 30 шт.)
2 030 ₴
- В наявності
- Код: TM073663
Транзистор N-MOSFET ONSEMI FDMC7692 — це уніполярний польовий транзистор з каналом збагачення, призначений для роботи в електронних схемах. Модель розрахована на монтаж поверх друкованих плат (SMD) у корпусі WDFN8. Комплект складається з 30 одиниць.
- Тип транзистора: N-MOSFET, уніполярний, канал збагачення
- Максимальна напруга стік-джерело: 30 В
- Постійний струм стіка: 16 А, імпульсний: 40 А
- Розсіювана потужність: 29 Вт
- Опір у відкритому стані: 12 мОм
- Корпус: WDFN8, монтаж SMD
- Комплектація: набір із 30 транзисторів
Напруга та струм
Транзистор має максимальну напругу стік-джерело 30 В та постійний струм стіка 16 А. У імпульсному режимі допустимий струм зростає до 40 А. Напруга затвор-джерело становить ±20 В, що визначає допустимі рівні керуючого сигналу.
Потужність та опір
Розсіювана потужність дорівнює 29 Вт, що визначає тепловий режим роботи компонента. Опір у відкритому стані (Rds(on)) становить 12 мОм, що мінімізує втрати енергії при проходженні струму. Заряд затвора — 29 нКл, що впливає на швидкість перемикання транзистора.
Корпус та монтаж
Компонент виконаний у корпусі WDFN8, що забезпечує компактні розміри та ефективний відвід тепла. Монтаж здійснюється методом поверхневого монтажу (SMD), що вимагає відповідного обладнання для пайки.
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | ON Semiconductor |
| Максимальна потужність розсіювання | 29 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 20 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 30 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 16 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 12 mOm |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 30 шт. |
| Корпус | WDFN8 |
- Ціна: 2 030 ₴
