Транзистор P-MOSFET ONSEMI FDMA530PZ, MicroFET, 20 шт.
2 510 ₴
- В наявності
- Код: TM035594
Транзистор P-MOSFET ONSEMI FDMA530PZ, MicroFET, 20 шт.В наявності
2 510 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор P-MOSFET ONSEMI FDMA530PZ у корпусі MicroFET для монтажу SMD. Комплект складається з 20 одиниць.
- Тип: P-MOSFET, уніполярний
- Корпус: MicroFET, монтаж SMD
- Напруга дрена-джерела: -30 В
- Струм дрена: -6,8 А
- Потужність розсіювання: 2,4 Вт
- Опір у стані провідності: 65 мОм
- Комплектація: 20 шт.
Технічні параметри
Транзистор є уніполярним P-канальним MOSFET з технологією PowerTrench®. Максимальна напруга дрена-джерела становить -30 В, а струм дрена — -6,8 А. Потужність розсіювання дорівнює 2,4 Вт.
Електричні характеристики
Опір у стані провідності (Rds(on)) становить 65 мОм. Загальний заряд затвора (Qg) — 11 нКл, а допустима напруга затвор-джерело — ±25 В. Канал транзистора є збагачуваним (enhancement mode).
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | ON Semiconductor |
| Максимальна потужність розсіювання | 2.4 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 25 В |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 65 mOm |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 20 шт. |
| Корпус | MicroFET |
| Технологія | PowerTrench® |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 510 ₴