Транзистор N-MOSFET ONSEMI FDL100N50F, 500В, 100А, TO264 (2 шт.)
2 490 ₴
- В наявності
- Код: TM073662
Транзистор N-MOSFET ONSEMI FDL100N50F, 500В, 100А, TO264 (2 шт.)В наявності
2 490 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор N-MOSFET ONSEMI FDL100N50F — це уніполярний напівпровідниковий прилад з каналом збагачення, розрахований на напругу 500 В та струм 100 А. Товар постачається у комплекті з двох одиниць у корпусі TO264 з технологією UniFET™.
- Напруга стік-виток: 500 В
- Струм стоку: 100 А
- Розсіювана потужність: 2,5 кВт
- Опір у відкритому стані: 55 мОм
- Корпус: TO264, монтаж THT
- Комплектація: 2 шт.
Потужність та струмові характеристики
Транзистор витримує напругу між витоком та стоком 500 В та постійний струм стоку 100 А. Максимальна розсіювана потужність становить 2,5 кВт. Опір у відкритому стані дорівнює 55 мОм.
Керування та монтаж
Прилад має заряд затвора 238 нКл та допустиму напругу затвор-виток ±30 В. Монтаж виконується вивідним способом (THT) у корпусі TO264.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | ON Semiconductor |
| Максимальна потужність розсіювання | 2500 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 30 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 500 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 100 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 55 mOm |
| Тип монтажу | Вставний |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 2 шт. |
| Корпус | TO264 |
| Технологія | UniFET™ |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 490 ₴