
Транзистор N-MOSFET ONSEMI FDH45N50F-F133, 500В, 45А, TO247-3 (3 шт.)
1 880 ₴
- В наявності
- Код: TM073661
Транзистор N-MOSFET ONSEMI FDH45N50F-F133 — це уніполярний компонент із каналом збагачення, призначений для роботи під напругою до 500 В та струмом 45 А. Комплект складається з 3 штук у корпусі TO247-3 для монтажу на плату (THT).
- Тип: N-MOSFET, уніполярний, канал збагачення
- Максимальна напруга стік-виток: 500 В
- Струм стоку: 45 А (імпульсний до 180 А)
- Потужність розсіювання: 625 Вт
- Корпус: TO247-3, монтаж THT
- Комплект: 3 штуки
Електричні параметри
Транзистор витримує напругу між стоком та витоком 500 В. Номінальний струм стоку становить 45 А, а імпульсний струм може досягати 180 А. Потужність розсіювання дорівнює 625 Вт.
Корпус та монтаж
Компонент виконаний у корпусі TO247-3. Монтаж здійснюється через отвори в корпусі (THT). Напруга на затворі обмежена ±30 В, а заряд затвора становить 105 нКл.
Комплект поставки
У наборі постачається 3 транзистори. Символ виробника FDH45N50F-F133 відповідає специфікації ONSEMI.## Опір у відкритому стані та заряд затвораРезистанція в стані провідності становить 0,12 Ом, що визначає теплові втрати при протіканні струму. Заряд затвора дорівнює 105 нКл, що впливає на швидкість перемикання транзистора. Ці параметри важливі для розрахунку режимів роботи схеми.
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | ON Semiconductor |
| Максимальна потужність розсіювання | 625 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 30 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 500 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 45 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 120 mOm |
| Тип монтажу | Вставний |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 3 шт. |
| Корпус | TO247-3 |
- Ціна: 1 880 ₴
