Транзистор ONSEMI FDG6304P, P-MOSFET x2, SOT363, 30 шт.

Транзистор ONSEMI FDG6304P — це комплект із 30 елементів, що містять два P-канальні MOSFET-транзистори в одному корпусі SOT363. Призначений для монтажу на поверхню (SMD) у електронних схемах, де потрібне компактне рішення з двома ключами.

• Комплект із 30 транзисторів
• Два P-канальні MOSFET в одному корпусі
• Корпус SOT363 (SC70-6) для SMD-монтажу
• Напруга стік-витік: -25 В
• Струм стіка: -0,41 А
• Потужність розсіювання: 0,3 Вт

Подвійний P-MOSFET у компактному корпусі

Компонент FDG6304P інтегрує два P-канальних MOSFET-транзистори в одному корпусі SC70-6 (SOT363). Корпус призначений для поверхневого монтажу (SMD).

Електричні параметри та технологія

Транзистори виготовлені за технологією PowerTrench® з опором у стані провідності 1,9 Ом. Максимальна напруга стік-витік становить -25 В, а максимальний струм стіка — -0,41 А. Потужність розсіювання обмежена значенням 0,3 Вт.

Комплектація

У комплекті постачається 30 транзисторів FDG6304P. Напруга затвор-витік становить ±8 В, а заряд затвора — 1,5 нКл.