Транзистор N-MOSFET ONSEMI FDD8876, 30 В, 73 А, DPAK, комплект 30 шт.
2 480 ₴
- В наявності
- Код: TM073658
Транзистор N-MOSFET ONSEMI FDD8876, 30 В, 73 А, DPAK, комплект 30 шт.В наявності
2 480 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор N-MOSFET ONSEMI FDD8876 — це уніполярний польовий транзистор з каналом збагачення. Модель виконана в корпусі DPAK для поверхневого монтажу (SMD) та реалізує технологію PowerTrench®.
- Тип транзистора: N-MOSFET, уніполярний
- Максимальна напруга дрена-джерела: 30 В
- Максимальний струм дрена: 73 А
- Потужність розсіювання: 70 Вт
- Корпус: DPAK, монтаж SMD
- Кількість у комплекті: 30 шт.
Електричні параметри
Транзистор розрахований на максимальну напругу дрена-джерела 30 В та струм дрена до 73 А. Потужність розсіювання становить 70 Вт. Опір у стані провідності дорівнює 13 мОм, а заряд затвора — 47 нКл.
Корпус та монтаж
Компонент виготовлений у корпусі DPAK для поверхневого монтажу (SMD). Технологія PowerTrench®.
Комплектація
Товар постачається у вигляді набору, що містить 30 транзисторів.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | ON Semiconductor |
| Максимальна потужність розсіювання | 70 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 20 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 30 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 73 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 13 mOm |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 30 шт. |
| Корпус | DPAK |
| Технологія | PowerTrench® |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 480 ₴